各種絶縁特性試験と判定

測定内容

概要

１.絶縁抵抗値試験

●絶縁抵抗値から絶縁物の吸湿や汚損状態を確認します

詳しく見る

絶縁物に直流電圧を印加すると、ごくわずかの電流が流れ、電流と印加電圧の比を絶縁抵抗値と呼びます。

絶縁層の劣化、汚損・吸湿状態を測定しますが、測定時の気温や湿度等の影響もあります。

したがって、定期的な絶縁抵抗測定をおこない、長期的な経時変化から絶縁の状態を判定します。

当社の基準では、
低圧機は100MΩ以上、
高圧機は1000MΩ以上を良判定としております。

２.直流吸収試験
（PI試験）

●吸湿、乾燥、汚損、ボイドの状態・劣化を推定します

詳しく見る

絶縁物に直流電圧を印加し、絶縁抵抗値の10分後の値と
1分後の値の比の特性から絶縁層の吸湿・汚損状態を
診断します。

直流電圧印加後、時間とともに上昇する絶縁抵抗値は、
絶縁物の吸湿の度合いに左右され、吸湿しているほど、
電流が一定になる時間は長く、絶縁抵抗値は小さくなります。

また、絶縁体の漏れ電流の時間的増加の有無を調べる試験を、成極指数（せいきょくしすう）といいます。

【PI試験（成極試験）】
PI＝１分後の電流値／10分後の電流値

絶縁抵抗値１分値［MΩ］	測定値が低下している場合は、コイル表面が吸湿している可能性がある
絶縁抵抗値10分値［MΩ］	キック現象、局部劣化部分（ボイド）があると、部分放電により突変な特性の変化を起こす

当社の基準ではPIの値は、
2.0以上を良判定としております。

３.誘電正接試験
（tanδ試験）

●吸湿・乾燥・汚損・ボイドの状態・劣化の程度を推定します

詳しく見る

標準電流と充電電流の位相差を測定し、絶縁物・絶縁層の吸湿・表面の汚損、ボイドの状態を推定します。

　絶縁物にボイドのない状態で電圧を上げても、
tanδの値はほとんど変化しません。

ボイドが存在すると、印加電圧に比例し、
ボイド内で部分放電するため、tanδの値は増加していきます。

tanδ	大きいと吸湿、コイル表面汚損が多い絶縁物の劣化や絶縁層内部が吸湿状態
Δtanδ	大きいとボイドが多いが、 tanδとともに大きい状態であれば、外部コロナの影響をうけ正確な判定が困難

	①	②	③
tanδ	大きい	小さい	小さい
Δtanδ	大きい	小さい	大きい
推定結果	※1	健全	劣化

①　※1: tanδ自体大きくなると、ボイドに関する情報は正確に
得られない場合があります。
②　健全: tanδ、⊿tanδともに小さいと、吸湿がなく健全といえます。
③　劣化・枯れ: tanδは小さく、Δtanδは大きいと、含浸材は枯れています。

当社の基準では
tanδの値は、
3.0以下を良判定

Δtanδの値は、
0.9以下を良判定としております。

4.交流電流試験

固定子巻線と大地間に交流電圧を印加し、
大地絶縁内部のボイドの状態、絶縁物の状態を測定します。

絶縁物に交流電圧を印加すると、電圧に比例し充電電流も比例して増加しますが、比較的劣化の進んだ絶縁物は、2つの電流急増点が現れます。
最初の電流急増点をＰｉ１、2回目の急増点をＰｉ２といい、Ｐｉ１が低い電圧で現れたりＰｉ２が定格付近で現れると、絶縁物が吸湿しやすい状況であるか、ボイド内の放電量が増加してきていると推測されます。

　Ｐｉ１はボイド内の放電
　Ｐｉ２はボイド間を短絡する放電

5.部分放電試験
（コロナ放電試験）

コロナ絶縁層に交流電圧を印加し、発生したパルス電圧から
絶縁物内部の劣化状態を測定します。
１回のみの試験ではなく、経年劣化を把握するため、
定期的な試験を行い、傾向管理されることを推奨します。

6.抵抗容量積
　RC（s）

RC値とBDV（絶縁破壊電圧）［kV］との関係は、
劣化が進むと一般的にはRC値が小さくなり、BDV値が低下する
場合が多いです。

当社の基準ではRCの値は、
100［ΩF］以上を良判定としております。